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8英寸SiC單晶材料:三安引領xEV技術前沿

2024-06-26

在全球新能源汽車行業的蓬勃發展中,電驅動系統及SIC功率半導體市場迎來了前所未有的發展機遇。2024年第四屆全球xEV驅動系統技術暨產業大會于6月19-20日在上海嘉定成功舉行,吸引眾多整車廠、電驅動產業鏈專家代表,共同探討電驅動先進技術與產業發展。

三安作為SiC全鏈整合制造平臺,在本次大會上展示了其在電力電子領域的最新研究成果。公司總經理助理高玉強博士受邀出席,在功率半導體創新技術論壇上發表題為“8英寸SiC單晶材料進展”的技術報告,深入分析了SiC電力電子產業鏈的現狀,8英寸SiC單晶材料的技術趨勢與挑戰,以及行業發展情況和展望。

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報告特別指出,8英寸SiC單晶材料的突破性進展不僅提升了生產效率,而且通過規模化生產顯著降低了成本,為SiC器件在新能源汽車的大規模應用鋪平了道路。此外,350微米厚度的8英寸襯底、外延和器件量產是突破8英寸成本壁壘,從6英寸跨越到8英寸的關鍵。

三安的積極參與不僅彰顯了公司在SiC單晶材料領域的技術實力,也體現了其在推動新能源汽車產業發展中的重要作用。通過與全球同行的深入交流,共同推動電驅動系統技術的創新和應用,為新能源汽車產業的可持續發展貢獻力量。

為滿足新能源汽車低碳化、電氣化的需求,三安深耕電力電子領域,保持供應鏈穩定,以卓越的產品質量,優質的服務,強大的交付實力引領功率半導體行業高速發展,助力新能源汽車產業邁向更加綠色、高效的未來。

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